為強(qiáng)化半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域人才技術(shù)儲(chǔ)備，打通高校理論教學(xué)與產(chǎn)業(yè)實(shí)踐應(yīng)用的銜接路徑，10月18日下午，我校聯(lián)合達(dá)拉斯浸會(huì)大學(xué)（DBU）共同開(kāi)展的第二篇章“半導(dǎo)體設(shè)備”系列課程第二講——“刻蝕設(shè)備”開(kāi)講。本次培訓(xùn)特邀半導(dǎo)體材料與設(shè)備領(lǐng)域資深專(zhuān)家、國(guó)立大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)博士曾偉雄主講，采用“理論拆解+技術(shù)溯源+趨勢(shì)展望”的授課模式，面向我校微專(zhuān)業(yè)學(xué)生、DBU大學(xué)研究生及感興趣慕名而來(lái)的學(xué)生們，通過(guò)線下與線上同步授課的形式，吸引近百人參與學(xué)習(xí)。課程由數(shù)理學(xué)院副院長(zhǎng)（主持工作）林佳主持。

課堂上，曾偉雄博士以“刻蝕技術(shù)在半導(dǎo)體制造中的戰(zhàn)略地位”為切入點(diǎn)，圍繞刻蝕技術(shù)發(fā)展歷程、設(shè)備分類(lèi)、核心原理、關(guān)鍵指標(biāo)及未來(lái)趨勢(shì)五大模塊展開(kāi)深度講解。在刻蝕技術(shù)發(fā)展歷程板塊，曾偉雄博士梳理了從1950年代濕法刻蝕到現(xiàn)代21世紀(jì)干法刻蝕的技術(shù)演進(jìn)脈絡(luò)；針對(duì)刻蝕設(shè)備分類(lèi)與核心原理，曾偉雄博士重點(diǎn)對(duì)比了干法刻蝕與濕法刻蝕的技術(shù)差異；在關(guān)鍵性能指標(biāo)（KPI）部分，曾偉雄博士系統(tǒng)拆解了刻蝕工藝與設(shè)備的核心評(píng)價(jià)維度；課程最后，曾偉雄博士聚焦刻蝕技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，結(jié)合半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制程演進(jìn)需求，提出三大核心方向：一是原子層蝕刻（ALE）技術(shù)的規(guī)模化應(yīng)用；二是設(shè)備硬件精度升級(jí)；三是濕法刻蝕的精細(xì)化發(fā)展。

互動(dòng)環(huán)節(jié)中，學(xué)員圍繞“EUV光刻與刻蝕工藝的協(xié)同優(yōu)化”“先進(jìn)封裝中的刻蝕技術(shù)挑戰(zhàn)”“國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備的技術(shù)突破路徑”等議題展開(kāi)熱烈討論。曾偉雄博士結(jié)合自身參與英特爾10nm制程、臺(tái)積電7nm制程刻蝕工藝研發(fā)的經(jīng)歷，針對(duì)學(xué)員提出的“高深寬比溝槽刻蝕的側(cè)壁保護(hù)方案”，建議從氣體配比優(yōu)化（如添加 CF?調(diào)節(jié)聚合物沉積）、等離子體密度控制兩方面入手，并分享了中芯國(guó)際14nm制程中相關(guān)工藝的參數(shù)調(diào)試經(jīng)驗(yàn)，現(xiàn)場(chǎng)學(xué)術(shù)氛圍濃厚。

曾偉雄博士深耕半導(dǎo)體材料與設(shè)備領(lǐng)域30余年，曾任職于歐洲半導(dǎo)體中心（IMEC）、三星研究院等機(jī)構(gòu)，主導(dǎo)或參與80余項(xiàng)半導(dǎo)體材料與設(shè)備相關(guān)專(zhuān)利研發(fā)，在刻蝕工藝優(yōu)化、先進(jìn)設(shè)備設(shè)計(jì)等領(lǐng)域積累了深厚經(jīng)驗(yàn)。其豐富的技術(shù)積淀與跨場(chǎng)景視野，將為學(xué)員搭建“設(shè)備原理-工藝應(yīng)用-產(chǎn)業(yè)需求”的完整認(rèn)知框架，助力學(xué)員精準(zhǔn)把握刻蝕技術(shù)的核心要點(diǎn)與發(fā)展方向。

數(shù)理學(xué)院 供稿